}}}接下来我们要讨论解析后我们数据存储的问题，其实在资源比较足够的情况下或者能够挤出data区的情况下可以考虑用结构体，我们构造好相应结构体，将接收到的数据存储进去，要应用的时候就十分方便。但这也有个矛盾，一般c51定义的结构体都被存储在data区，一般通讯的字节量大空间必然不够，存在一个矛盾，可以采用联合体union进行存储效果会好一点。当然也可以在保存数据时采用定义在xdata区（片外）的buffer来存储。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

云南楚雄电缆电线（ /）各种报废电缆电线
总之电线电缆的环境只要干燥，避免潮湿与直晒。不超负荷的使用，寿命都会在20年以上并且性能达到了。废旧电缆线拆解程序1.首先是把铝芯线和铜芯线，大小电缆线分2.外面有铁皮或铁丝包着的电缆线先把铁皮或铁丝拨去3.用专拨电线的拨线机把外面的皮拨离金属与塑料的分离方法1.金属捕集器将粉碎的废弃物经管道输送，在传送过程中使用金属捕集器将直径为0.75---1.2MM的金属碎屑分离出来。4.静电分离器将混杂料粉碎，投入静电分离器，利用金属与塑料的不同带电特性，可分离出铜，铝等金属。此法适用与金属填充复合材料，电缆料和镀金属塑料的。机械法资源再生技术对废电缆的意义机械法资源再生技术是目前使用 广泛的方法。

不要带着情绪作业一名合格的电工一定要胆大心细，我们电工工作中时候特别受气，情绪很不好，有些人就会把受的气发泄在工作中，甚至有意不按规范来操作，这是很危险的容易造成事故。所以希望各位不管情绪多么不好，受了多大的气都不要把它带在工作中，要么当时不要去作业，要么认真的作业。有什么不满的地方也等完工作再去解决，不要拿自己的生命去玩笑，不为自己也想一下家人。我们只是个打工者，没必要为捐躯，当作业比较危险，而不给我们足够安全保护措施时，不管是谁要求我们去作业都必须拒绝，那怕要把你除了。当发电机电压升至一定数值，比较环节就进入A-B段工作。这时随着发电机电压上升。其输出电压Usc反而减少。因而可控硅放角也减少。一直升到额定电压就稳定工作。继电器J2在发电机电压升至大约90％额定电压时动作。将蓄电池切断，以免继续充磁使发电机电压过高而损坏可控硅。由于J2触点容量较小，所以利用网对常闭触点串并联使用。恒压过程：当发电机电压偏离额定值时，若发电机输出电压Fu↑同步变压器B1检测桥输出电压usc↓BG1Ube↓BGlIC↓电容充电速度放慢↓一单结晶体管触发脉冲后移↓可控硅导通角减少↓勋磁线圈L电流减少↓发电机输出电压Fu↓；反之发电机输出电压Fu↑，从而自动调节励磁电流使发电机电压稳定。如果输入值在下限LO_LIM和上限HI_LIM的范围以外，输出(OUT)限位到与其相近的上限或下限值（视其单极性UNIPOLAR或双极性BIPOLAR而定），并返回错误代码。2下面给大家举个例子：如输入I0.0为1，SCALE功能被执行。下面的 实数并写到OUT。输入是双极性BIPOLAR，用I2.0来设置。程序中调用的FC105执行前：IN----MW10=22HI_LIM---MD20=100.0LO_LIM--MD30=0.0OUT-MD40=0.0BIPOLARI2.0=T 88FC106与上同，不在举例了。我们设消耗的功率为50mW(也就是说，我们可以使用100mW规格的电阻)，这就要求R不得小于20Ω，如果采用20Ω的电阻，由欧姆定律可得副边匝数N=200。现在我们来看磁芯，设二极管是普通的一般的二极管，通 。互感器输出电压为1V，加上二极管的通态电压1V，总电压大约2V。250kHz频率工作时，磁芯上的磁感应强度不会超过其中4us为一个周期的时间，实际肯定是不到一个周期的。正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小， W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，选NMOS。NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。